30,2%, questo e' il nuovo record dell'efficienza di conversione fatto segnare dalla cella III-V/Si nei laboratori del Fraunhofer ISE.
0,8 punti percentuali in piu' rispetto al tradizionale fotovoltaico al silicio. Per ottenere questo risultato il team ha impiegato una tecnica legata ad un processo di microelettronica chiamato "collegamento diretto su wafer" che permette di trasferire alcuni micrometri di materiali semiconduttori dei gruppi III e V sul silicio.
Nel dettaglio la struttura multigiunzione è realizzata da tre subcelle impilate una sopra l’altra. I cosiddetti “diodi tunnel” collegano internamente le tre unità fatte di gallio-indio-fosfuro (GaInP), gallio-arseniuro (GaAs) e silicio (Si) al fine di estendere la gamma di assorbimento dello spettro solare. L’obiettivo finale della ricerca è quello di produrre moduli fotovoltaici ad alta resa
